CMP拋光材料介紹

CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光。CMP技術所采用的設備及消耗品包括：拋光機、拋光漿料、拋光墊、后CMP清洗設備、拋光終點檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。拋光機、拋光漿料和拋光墊是CMP工藝的3大關鍵要素，其性能和相互匹配決定CMP能達到的表面平整水平。其中拋光漿料和拋光墊為消耗品。其中拋光漿料的成分主要由三部分組成：腐蝕介質、成膜劑和助劑、納米磨料粒子。拋光漿料要滿足拋光速率快、拋光均一性好及拋后易清洗等要求。磨料粒子的硬度也不宜太高，以保證對膜層表面的機械損害比較輕。

拋光漿料配方分析

現代分析技術得到了快速發展，新的分析儀器和分離技術不斷被開發和應用，比如氣相色譜-質譜聯用儀就可根據應用、進樣系統和分析目的不同，有靜／動態頂空氣質聯用儀、熱脫附氣質聯用儀和裂解氣質聯用儀等。其它分析技術比如液質聯用儀、核磁共振儀、凝膠滲透色譜儀、紅外光譜儀、紫外一可見分光光度計、熱分析儀、元素分析儀等也可以針對不同的樣品、基體和分析目的進一步細分。然而各種儀器分析技術提供的結構、組成和含量等方面的信息不同，如凝膠滲透色譜主要提供高分子材料的相對分子質量及其分布，對其結構、組成無能為力；核磁共振能夠提供未知物主要成分的結構信息，但對成分復雜的樣品解譜難度很大。因此，使用一種分析技術難以獲得全部的結構、組成和含量等方面的綜合信息，往往需要多種現代分析技術的聯用，相互印證不同分析技術所獲得的實驗結果。

拋光漿料的應用前景

目前，CMP技術已經發展成以化學機械拋光機為主體，集在線檢測、終點檢測、清洗等技術于一體的CMP技術，是集成電路向微細化、多層化、薄型化、平坦化工藝發展的產物。同時也是晶圓由200mm向300mm乃至更大直徑過渡、提高生產率、降低制造成本、襯底全局平坦化所必需的工藝技術。以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶第三代半導體材料近年來發展十分迅速，氮化鎵（GaN）基半導體材料具有發光效率高、良好的導熱率、耐高溫、抗輻射、高強度和高硬度等特性，可制成高效藍、綠光發光二極管和激光二級管（又稱激光器）。但氮化鎵（GaN）材料本身不能生長出單晶，必須生長在與其結構相類似的襯底材料上。目前國際上公認的襯底材料為藍寶石晶體。隨著氮化鎵（GaN）材料市場需求的增長，對藍寶石的需求也會隨之高速增長。